Технические характеристики
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 4 модуля по 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.35 В
Количество ранков 2
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 4 модуля по 16 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) да
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.35 В
Количество ранков 2
Тип устройства
|
Память |
Тип оперативной памяти
|
DDR3 |
Объем модуля DRAM, Гб
|
64 |
Поддержка ECC памяти
|
Да |
Базовая единица
|
шт |
Производитель
|
Kingston |